ካብ ኪሎጆል ካፓሲተራት ናብ ማይክሮን-ደረጃ ኤሌክትሮድስ፡ ምህንድስና ሲዲ ስፖት ዌልደር

መእተዊ
ሓድሽ ፋብሪካ ባትሪ ጸዓት ተሽከርካሪት፡ ነቲ ናይ ካፓሲተር ባንክ ሞዱሎም ብምዕባይ፡ ንሓደ-ዌልድ ዝውዕል ጸዓት ብ28% ኣጉዲሉ።ካፓሲተር ዲስቻርጅ ስፖት ዌልደር. ብኣንጻሩ ሓደ ኣፍራዪ ኣየርን ስፔስን ብሰንኪ ናይ ኤሌክትሮድ ስርዓት ዲዛይን ጉድለት ኣብ ናይ ታይታንየም ኣሎይ ካቢናት ናይ ዌልድ ብቕዓት ደረጃ ብ40% ምንቁልቋል ርእዩ። እዞም ጉዳያት እዚኦም ኣፈፃፅማ ሀካፓሲተር ዲስቻርጅ ስፖት ዌልደርብቐጥታ ኣብ ምትሕብባር ስራሕ ናይቶም ቀንዲ ኣካላቱ ይምርኮስ። ከም ኢንዱስትርያዊ መሳርሒታት ምውህሃድልዑል-ጸዓት ናህሪ ቴክኖሎጂ(ክሳብ 100kA ዝበጽሕ ቅጽበታዊ ዋሕዚ ኤሌክትሪክ) ከምኡ’ውን...ልክዕነት ዘለዎ መካኒካዊ ምቁጽጻር(ልክዕነት ኣቀማምጣ ±0.01mm)፣ ቀንዲ ኣካላቱ ሰለስተ ዓበይቲ ስርዓታት ዝሽፍኑ እዮም: እቲ...ኣሃዱ መኽዘን ጸዓት, ጸዓት ምፍናው ኣሃዱ፣ እናልክዕነት ዝሰርሕ መካኒዝም. እዚ ጽሑፍ እዚ ንሽዱሽተ ቀንዲ ባእታታት ዝምልከት ቴክኒካዊ ባህርያትን መምረጺ መዐቀኒታትን ብዕምቆት-ንትንተና ይህብ።

I. ካፓሲተር ባንክ ሞዱል፡ እቲ ጸዓት መኽዘን ኮር

• ብዙሕ ንጣብ ፊልም ካፓሲተር ቴክኒካዊ መለክዒታት

ኣብነታት መለክዒታት፤

ደረጃ ዓቕሚ: ኢንዱስትርያዊ ደረጃ 10-200mF፤ ወተሃደራዊ ክፍሊ 50-500mF.

ደረጃ ቮልቴጅ: ኢንዱስትርያዊ 450-2000VDC፤ ወተሃደራዊ 600-3500VDC።

ESR ዋጋ: ኢንዱስትርያዊ<5mΩ; Military <2mΩ.

ዕድመ ዑደት፡ ኢንዱስትርያዊ 500,000 ዑደት፤ ወተሃደራዊ 1,000,000 ዑደት።
ብሉጽ ልምዲ፡ ሓድሽ ናይ ጸዓት ኩባንያ ባይፖላር ኣሉሚንየም ኤሌክትሮላይቲክ ካፓሲተር ባንክታት (120mF ±1%) ተጠቒሙ፡ ኣብ ውሽጢ 0.3ms 98% ጸዓት ምፍናው ኣመዝጊቡ።

• ካፓሲተር ባንክ ቶፖሎጂ

ሞዱላር ዲዛይን ብልጫታት፦ ንማዕረ ምስፍሕፋሕ ይድግፍ (ክሳብ 32 ጉጅለታት ኣብ ሓደ ማሽን)፤ በሊሕ ቮልቴጅ ሚዛን (ፍልልይ ቮልቴጅ<0.5%); Fault isolation mechanism (single group failure doesn't affect system).

II. ስርዓት ኤሌክትሮድ፡ እቲ ጸዓት ምፍናው ተርሚናል

• ኤሌክትሮድ ቲፕ ማተርያል ምውድዳር

ኣብነታት ንዋት፤

ክሮሚየም ዚርኮንየም ነሓስ (CuCrZr): መተሓላለፊ 85% IACS, ምልስላስ Temp 550 ዲግሪ , ንሓፈሻዊ ሓጺናት።

ታንግስተን ነሓስ (WCu): መተሓላለፊ 45% IACS, ምልስላስ Temp 1200 ዲግሪ , ንልዑል-ምቕላጥ-ነጥቢ ቅይሕታት.

ፋሕፋሕ-ዝተጠናኸረ ነሓስ (Al2O3-Cu): መተሓላለፊ 90% IACS, ምልስላስ Temp 600 ዲግሪ , ንልክዕ ኤሌክትሮኒክስ።
መጽናዕቲ ፍጻመ፡ 3C ኤሌክትሮኒክስ ትካል፡ ግራድየንት ኮምፖዚት ኤሌክትሮድስ (tip: CrZrCu / base: CuW) ተጠቒሙ፡ ዕድመ ኤሌክትሮድ ካብ 50,000 ናብ 250,000 ዑደት ኣዕብዩ።

• ጸቕጢ ኣክቱዌተር

ሰርቮ ድራይቭ ሲስተም መለክዒታት: ዝለዓለ ሓይሊ 3000N፤ ናይ ምላሽ ግዜ ካብ 5ms ንታሕቲ ወይ ማዕረ፤ ተደጋጋሚ ትኽክለኛነት ኣቀማምጣ ±0.005ሚ.ሜ.
ኣብነት ምዕባይ፦ ሓደ ትካል ክፍልታት መካይን መስመራዊ ሞተር ድራይቭ ሲስተም ብምቕባል ፍጥነት ምፅቃጥ ናብ 200ሚ.ሜ/ሰከንድን ብቕዓት ምውህሃድ ብ40%ን ኣዕብዩ።

III. ኣሃዱ ምቁጽጻር ጸዓት፡ ልክዕ ምፍሳስ ሓንጎል

• ናይ IGBT ዲስቻርጅ ስዊች ባህርያት

ኣብነታት መለክዒታት፤

ደረጃ ቮልቴጅ: ኢንዱስትርያዊ ደረጃ 1700V፤ ብሕታዊ ሞዱል 3300V.

ጫፍ ዋሕዚ ኤሌክትሪክ: ኢንዱስትርያዊ 50kA፤ ብሕታዊ 100kA.

ፍጥነት ምቅይያር: ኢንዱስትርያዊ 0.5μs; ብሕታዊ 0.2μs.
ወተሃደራዊ-መከላኸሊ ደረጃ: ድርብ መከላኸሊ ልዕሊ ዓቐን ዋሕዚ ኤሌክትሪክ (ሃርድዌር + ሶፍትዌር)፤ ንጡፍ ናይ ሕጂ ምክፋል ምቁጽጻር (ናይ ሕጂ ምዝንባል<3%).

• ቴክኖሎጂ ምቁጽጻር ቅርጺ ማዕበል ምፍሳስ

ናይ ቅርጺ ማዕበል ሞዱሌሽን ዓቕሚ: ኣብ መንጎ ንጽል-ናህሪ/ብዙሕ-ናህሪ ሞድታት ነጻ ምቅይያር፤ ልክዕነት ምትዕርራይ ስፍሓት ናህሪ: ±0.01ms; ናይ ናህሪ ፍልልይ ምትዕርራይ ደረጃ: 1-100ms.
ኣተገባብራ፦ ሓደ ኣፍራዪ ኣየርን ስፔስን ድርብ-ጫፍ ናህሪ ማዕበል ቅርጺ (መሪሕ ናህሪ + ቀንዲ ናህሪ) ተጠቒሙ፣ ምእታው ታይታንየም ኣሎይ ዌልድ ናብ 1.2 ሚ.ሜ.

IV. ሞዱል ቀረብ ሓይሊ፡ እቲ ናይ ጸዓት ምእታው ቻነል

• ልዑል-ፍሪኩዌንሲ ቻርጅ ፓወር ሳፕላይ መለክዒታት

ኣብነታት መለክዒታት፡ ሓይሊ ቻርጅ 10-50kW፤ ብቕዓት ቻርጅ ካብ 95% ዝዓቢ ወይ ማዕረ፤ ሪፕል ፋክተር<0.5%; Response Time <10ms.
በሊሕ ስትራተጂ ቻርጅ: ኣውቶማቲክ ቀዋሚ ዋሕዚ-ቀዋሚ ቮልቴጅ ምቅይያር፤ ሙቐት-ዝተኻሕሰ ቻርጅ (-20 ዲግሪ ክሳብ 60 ዲግሪ)።

• ዝተዓቀበ ጸዓት ቀረብ ሓይሊ ብልጫታት

መፅናዕቲ ፍጻመ፦ ሓደ ከቢድ ኢንዱስትሪ ዝሰርሕ ትካል ሱፐርካፓሲተር ባፈር ሞዱል (15F) ብምትካል ንናይ ግሪድ ኢንሩሽ ካረንት ብ80% ብምንካይ ፓወር ፋክተር ናብ 0.99 ኣዕብዩ።

V. ስርዓት መዝሓሊ፡ ውሕስነት ምሕደራ ሙቐት

• ድርብ-ዑደት መዝሓሊ ስነ ህንጻ

ስርዓት መዝሓሊ ማይ ቴክኒካዊ መርኣይታት: ፍሰት 6-12 ሊትር/ደቒቕ፤ ጸቕጢ ምጥፋእ<0.2MPa; Temperature Control Accuracy ±1°C.
ምህዞ፦ ሓደ ናይ ባትሪ ኩባንያ ፌዝ ቸንጅ ማተርያል (PCM) ዝበሃል መዝሓሊ ጽላት ኣተኣታትዩ፣ እዚ ድማ ናይ ካፓሲተር ባንክ ናይ ስራሕ ሙቐት ኣብ 45±3 ዲግሪ ኣረጋጊኡ።

• ምምሕያሽ ስርዓት መዝሓሊ ኣየር

Forced Convection Parameters: Wind Speed 8-15m/s; Static Pressure 800-1500Pa; Airflow Efficiency >85%.

VI. መዋቕራዊ ፍሬም፡ ልክዕነት መካኒካዊ መሰረት

• C-ፍሬም መካኒካዊ ኣፈፃፅማ

መለክዒታት፦ ስታትቲክ ትሪነት ካብ 500 N/μm ዝዓቢ ወይ ማዕረ፤ ዳይናሚክ ሪዞናንስ ፍሪኩዌንሲ ካብ 80 ሄርዝ ዝዓቢ ወይ ማዕረ፤ ተደጋጋሚ ትኽክለኛነት ኣቀማምጣ ±0.01ሚ.ሜ.*

• ስርዓት መከላኸሊ መከላኸሊ መከላኸሊ

ብዙሕ-ንጣብ ዲዛይን መከላኸሊ:

ኤሌክትሮድ ቅልጽም: መከላኸሊ ደረጃ F, 3kV/1min ይጻወር።

ካፓሲተር ቻምበር: ኢንሱሌሽን ክላስ H, 5kV/1min ይጻወር።

ናይ ቁጽጽር ካቢነ: መከላኸሊ ደረጃ B, 2kV/1min ይጻወር።

መደምደምታ
ሓደ ፍሉጥ ኩባንያ ሓይሊ ባትሪ፡ ሞዱላር ምዕባለታት ኣቢሉ፡ ናይ ካፓሲተር ባንክ ምትካእ ግዜ ካብ 4 ሰዓታት ናብ 15 ደቓይቕ ኣውሪድዎ። ሓደ ትኽክለኛ ኤሌክትሮኒክስ ትካል ድሕሪ ምምሕያሽ ስርዓት ኤሌክትሮድ ናይ መጀመርታ-መሕለፊ ምህርቲ 99.998% ረኺቡ። መረዳእታታት ከምዘመልክትዎ ኣብ ቀንዲ ኣካላት ዝረአ ቴክኖሎጂካዊ ስርሒታት ኩለመዳያዊ ብቕዓት ሀካፓሲተር ዲስቻርጅ ስፖት ዌልደርብልዕሊ 50%። ብሓደስቲ ቴክኖሎጂታት ከም ሲሊኮን ካርባይድ ሓይሊ መሳርሒታትን ፈሳሲ ብረት ኤሌክትሮድስን፡ መጻኢ ዌልደርስ ናብ *ultra-fast charge/discharge (<0.1ms), intelligent self-recovery, and energy recycling*, opening a new era in precision manufacturing.

ሕጂ ርኸቡ።